Infrarooi analise van AlxGa1-xAs-epilagies

Infrared analysis ofAlxGa1-xAs Epilayers

Authors

  • JAA Engelbrecht Nelson Mandela-Universiteit
  • ME Lee Nelson Mandela-Universiteit
  • JR Botha Nelson Mandela-Universiteit
  • WE Goosen Nelson Mandela-Universiteit
  • EG Minnaar Nelson Mandela-Universiteit
  • V Wagner Incomar Precise Aerospace Solutions

Keywords:

Al xGa1-xAs, refractive index, FTIR, layer thickness

Abstract

Die gebruik van aluminium gallium arsenied (AlxGa1-xAs) in optiese toestel toepassings vereis dat die brekingsindeks n van die ternêre legering as ‘n funksie van golflengte of golfgetal en die Al-molfraksie x bekend moet wees. Infrarooi spektroskopie is gebruik om beide die bandgaping Eg en die interferensiepatrone te bepaal om die epilaagdikte van AlxGa1-xAs-monsters te bereken. Twee formules wat voorgestel was om die brekingsindeks van AlxGa1-xAs te bereken, word aan die hand van die laagdikteresultate geëvalueer.

Ingedien: 27/08/2024
Aanvaar: 28/11/2024
Gepubliseer: 10/03/2025

Author Biographies

JAA Engelbrecht, Nelson Mandela-Universiteit

Sentrum vir HRTEM, Nelson Mandela-Universiteit, Suid-Afrika

ME Lee, Nelson Mandela-Universiteit

Sentrum vir HRTEM, Nelson Mandela-Universiteit, Suid-Afrika

JR Botha, Nelson Mandela-Universiteit

Departement Fisika, Nelson Mandela-Universiteit, Suid-Afrika

WE Goosen, Nelson Mandela-Universiteit

Sentrum vir HRTEM, Nelson Mandela-Universiteit, Suid-Afrika

EG Minnaar, Nelson Mandela-Universiteit

Departement Fisika, Nelson Mandela-Universiteit, Suid-Afrika

V Wagner, Incomar Precise Aerospace Solutions

Incomar Precise Aerospace Solutions, Suid-Afrika

Downloads

Published

2025-03-10

Issue

Vol. 44 No. 1 (2025)

Section

Oorspronklike Navorsing